1 主題內容與通用范圍
本標準給出了電力半導體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級別、技術要求、測試方法和規則。 本標準適用于去離子處理后的高純水。
2 引用標準 GB11446電子級水及其檢測方法
3術語
3．1 電導率electrical conductivityctricalconduc2ivity
在規定溫度下，1cm3水溶液兩相對面之間測得的電阻值的倒數。電導率通常以μS/cm為單位。 水的理論電導率為0.0548μs/cm(25℃時)。
3．2電阻率resistivity 電導率之倒數。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時)。溫度升高時電阻率下降。
3．3顆粒性物質granular sulbstance
除氣體以外，以非液態形式分散在水中，并形成非均勻相混合物的物質。
3．4總有機碳(TOC)total organic carbon 水中以各種有機物形式存在的碳的總量。包括易被—般強氧化劑氧化的有機物和需用特殊 化的有機物。
3．5總固體total solid 水樣蒸發、烘干后殘留的固總量。
3. 6全硅total silicon 水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
3．7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上，各種形式存在的物質含量有一定規定限制的很純凈水
3．8原水raw watcr
純化處理之前的水。常用的原水將自來水、井水、河水等。
3．9終端terminal。 高純水生產流程中經過各道沖化工藝后，水的出口使用地點。可分別稱為制水終端和用水
3．10微量micro-amount 試樣量在1mg左右。
3．11 痕量trace amount 試樣量在1μg左右。
3．12百萬分之一(ppm) part per million
重量比的量，相當于每百萬重量的溶液中含一單位重量的溶質。在水質分析中，一殷也認為相當每升水樣含雜質的毫克數(mg／L)。
3．13十億分之一(ppb)part per billion 重量比的單位，相當于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質，在水質分折中，一般認為相當于短升水樣含雜質的微克數(μg／L)。
4高純水的級別
4．1高純水可分為電子級高純水和普通高純水，分別用符號EH和pH標志。
4. 2電子級高純水
4．2．1在制造工藝中使用電子級高純水的電力半導體器件有如下特點：
a．具有精細圖形結構；b．對器件表面有特殊要求；c．工藝對水質有特定的嚴格要求。
4．2．2電子級高純水分為兩個級別：特級和I級。它們的標志分別是：
特級電子級高純水：EH—T
一級電子級高純水：EH—1
4．3普通高純水
4．3．1普通高純水用于一般電力半導體器件的制造工藝中。
4．3．2普雙高純水分為三個級別：Ⅰ級、Ⅱ級和Ⅲ級。它們的標志分別是：
I級普通高純水：pH—Ⅰ x級普通高純水：PH—Ⅱ m級普通高純水：pH—Ⅲ
4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。
5技術要求
5．1電子級高純水
5．1．1電子級高純水應考核四項內容：
a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率)；b．水中懸浮微粒的數量和大小；C. 水中有機物總量；d. 水中細菌微生物狀況。
5. 1. 2電子級高純水的各項技術指標由表1給出。
